IT之家 9 月 18 日消息，根据行业人士 @手机晶片达人 爆料，英伟达已经跟三星就 3nm GAA 工艺制程进行了接洽，如果一切顺利则预定在 2025 年进行量产。

　　Hardwaretimes 此前也曾有过报道，下一代英伟达旗舰显卡 RTX 5090 将使用 3nm 工艺，预计将在明年年底推出。

　　IT之家曾报道，微星此前在台北 Computex 电脑展上也一并展示了下一代英伟达 RTX 旗舰显卡的散热设计。

　　由图可见，微星使用了动态双金属鳍片 (Dynamic Bimetallic Fin)，六条贯穿式纯铜热管、大面积铝质鳍片中也嵌入了铜片，进一步增强散热，而显存区域也有对应的铜片，这说明不出意外的话下一代显卡将针对散热进行着重设计。

　　结合当下所曝光的信息，结合如此散热条件，RTX 5090 的原始功耗和发热应该会给人留下深刻的印象。